[发明专利]一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构

摘要

本发明涉及CCD器件技术领域，具体涉及一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构，包括衬底、沟阻、多晶硅电极，输出节点，靠近输出节点的沟阻形状为弧形，远离输出节点的形状为直线形，所述沟阻左侧中间位置具有一个向外凸起；所述多晶硅电极包括多层多晶硅电极，且各层多晶硅电极依次交替排列设置，多晶硅电极层之间不留间隙，多晶硅电极具有多条多晶硅栅，每条多晶硅栅位于沟阻外侧的部分为直线，位于沟阻内侧的部分为弧形，且越接近输出节点，其弧度越大。本发明中通过弧形多晶硅电极实现CCD信号电子的逐步汇集，同时兼顾了大信号处理和高频转移的问题。