[发明专利]一种基于原子层沉积的吸收膜及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202011214378.3 申请日: 2020-11-04
公开(公告)号: CN112526663A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 沈伟东;郑婷婷;章岳光;杨陈楹;王海兰;陈潇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02B5/28 分类号: G02B5/28;C23C16/455;C23C16/32;C23C16/40
代理公司: 杭州知闲专利代理事务所(特殊普通合伙) 33315 代理人: 黄燕
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于原子层沉积的吸收膜,由基底和其上的多层吸收膜系组成,所述多层吸收膜系由吸收膜层和介质膜层交替组成,吸收膜层为最内层,靠近基底设置;介质膜层为最外层;所述多层吸收膜系由原子层沉积方法得到。本发明巧妙结合了吸收膜的设计制备和原子层沉积技术的优势,克服了传统的物理气相沉积方法无法满足大曲率元件沉积薄膜的均匀性、覆盖率的基本要求的困难。本发明通过原子层沉积技术制备的吸收膜,在设计波段内吸收率可达99%以上,可在高深宽比的复杂光学表面以及大曲率光学元件等特殊领域具有重要应用,有望在虚拟现实、防伪等方面广泛应用,为我国国民经济、社会发展、科学技术和国防建设等领域作出贡献。
搜索关键词: 一种 基于 原子 沉积 吸收 及其 制作方法
【主权项】:
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