[发明专利]铜互连线的制造方法在审
| 申请号： | 202011214868.3 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112382608A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 许家彰;蔡旻錞;陈建勋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连线的制造方法，包括步骤：步骤一、提供具有平坦表面的前层膜，在前层膜上形成阻挡层、铜籽晶层，在铜籽晶层上电镀形成铜层；步骤二、进行铜反应离子刻蚀工艺对选定区域中的铜层、铜籽晶层和阻挡层进行刻蚀，由未被刻蚀的阻挡层、铜籽晶层和铜层叠加形成铜互连线；步骤三、形成钴层将铜互连线的顶部表面和侧面包覆；步骤四、在铜互连线之间填充层间膜。本发明能消除铜填孔问题，能使铜互连线线的完整性非常好并从而能降低导通电阻，能很好的适用于7nm以下技术节点。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
