[发明专利]一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011216444.0 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112310255A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 崔志勇;尉尊康;李勇强;郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;王雪 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/24;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)、去除掉深紫外发光二极管的外延结构的P‑GaN层(107)的部分区域的全部或一部分；(2)、在P‑GaN层(107)的表面沉积一层反射层(201)；(3)、在反射层(201)的表面沉积一层粘合金属层(202)；(4)、在粘合金属层(202)上结合一层导电基板层(301)；(5)、去除掉深紫外发光二极管的外延结构的N‑AlGaN层(104)下面的所有层，使N‑AlGaN层(104)裸露在最外层；(6)、在N‑AlGaN层(104)的部分表面上制作电极金属层(401)且使电极金属层(401)的位置与P‑GaN层(107)的所述部分区域相对应。其可以解决现有技术中光提取效率低、电流横向扩展差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司，未经山西中科潞安紫外光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011216444.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗截获的相移键控方法
- 下一篇：高度限定装置及挖掘机
