[发明专利]一种基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法

摘要

本发明公开一种基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法。该方法包括以下步骤：在柔性衬底上形成背栅电极；采用低温化学气相沉积方法在所述背栅电极上依次生长阻挡层、电荷俘获层和隧穿层；利用机械剥离法直接将二维材料剥离至所述隧穿层上，作为沟道；在所述沟道两侧淀积金属电极。采用化学气相沉积法在低温下生长隧穿层、俘获层和阻挡层，既提供了电荷俘获型存储器所需的电荷缺陷，同时有效解决了高温工艺与柔性衬底不兼容的问题。另外，采用一步剥离法制备柔性二维器件，避免了在硅基制备器件再进行转移的步骤，可极大简化工艺流程，降低生产成本，同时避免转移过程中引入的器件不稳定、性能衰减等问题。