[发明专利]n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管在审
| 申请号： | 202011217956.9 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112466934A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;朱肖肖;张进成;王泽宇;郎英杰;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/20;H01L29/872;H01L29/772 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管，其中，所述n型AlN欧姆接触结构包括晶圆结构和欧姆接触电极，其中，所述欧姆接触电极设置于所述晶圆结构上，所述晶圆结构包括自下而上依次设置的衬底层、过渡层、沟道层、渐变AlGaN层和n型GaN层，所述渐变AlGaN层中Al组分的含量自下而上逐渐从1变化到0。本发明使用n型掺杂的渐变AlGaN层，降低了欧姆接触电极与AlN之间的势垒高度，从而实现欧姆接触电极与n型AlN之间较低的欧姆接触电阻，有效降低了金属电极与n型AlN的欧姆接触电阻阻值。 | ||
| 搜索关键词： | aln 欧姆 接触 结构 肖特基 二极管 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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