[发明专利]一种晶体硅太阳电池、组件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011218983.8 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112331741A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 崔艳峰;黄强;任明冲;周学谦;谷士斌;蔡涔 | 申请（专利权）人： | 东方日升（常州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/05;H01L31/0216;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶体硅太阳电池、组件及其制作方法，属于太阳能电池领域。晶体硅太阳电池的制作方法包括：提供在表面具有透明导电膜的电池；对电池进行切片操作，形成分片电池；在分片电池表面的透明导电膜上制作介电薄膜。通过该方式制作晶体硅太阳电池可以提高电池的转换效率，有效避免切片操作导致的效率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
