[发明专利]非制冷红外探测器、芯片以及芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202011221554.6 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112499580A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 马占锋;黄立;陈丹;汪超;王春水;高健飞 | 申请（专利权）人： | 武汉鲲鹏微纳光电有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非制冷红外探测器芯片的制作方法，包括如下步骤：S1，在读出电路上进行MEMS阵列的制作；S2，待完成后，在读出电路非MEMS阵列的部位上沉积吸气剂材料；S3，通过剥离工艺，去掉非制冷红外像元部分的吸气剂，留下非制冷红外非像元部分的吸气剂。还提供一种非制冷红外探测器，包括半导体制冷器以及非制冷红外探测器芯片，芯片设于半导体制冷器上。还提供一种非制冷红外探测器芯片，包括读出电路以及设于读出电路上的MEMS阵列，读出电路上还沉积有吸气剂，吸气剂环绕MEMS阵列设置。本发明通过在芯片上沉积吸气剂材料，去掉两个吸气剂管脚，设计更简单，成本更低；不用再焊接吸气剂，可以简化封装部分的工艺，提高生产效率，降低焊接成本和人力。 | ||
| 搜索关键词： | 制冷 红外探测器 芯片 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
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