[发明专利]一种埋入式键合工艺三维集成方法有效
| 申请号： | 202011222378.8 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112331617B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李仁雄;陈世杰;吴罚;唐昭焕;张斌 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/768;H01L25/18;H01L23/48 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及三维集成技术领域，尤其涉及一种芯片埋入式键合工艺三维集成方法：在载片上依次制造TSV通孔、PAD结构；所述载片与目标载片键合；在所述载片背面挖槽，凹槽深度小于待埋入芯片厚度，预固定所述埋入芯片，沉积介质层覆盖所述埋入芯片；进行芯片间的金属互联。本公开采用芯片埋入工艺，通过W2W的键合，键合效率大大提升，可实现同质、异质多芯片的三维集成，灵活性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 埋入 式键合 工艺 三维 集成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联合微电子中心有限责任公司，未经联合微电子中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011222378.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种果实采摘设备
- 下一篇：一种LF铝镇静钢高效造渣脱硫的冶炼工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
