[发明专利]累积型MOS沟道二极管结构在审
| 申请号： | 202011223439.2 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112349772A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘梦;吴郁;薛云峰;苏晓山;雷正龙 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/45;H01L29/739 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 冯建华;彭涛 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种累积型MOS沟道二极管结构，包括阴极金属、阳极金属、N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅组，所述N型衬底、N型外延层、P区、N型源区及槽栅设置在阴极金属与阳极金属之间，所述N型衬底一端与阴极金属接触，另一端与N型外延层的一端接触，N型外延层的另一端部分与P区接触，N型源区设置在阳极金属、P区及槽栅组之间并分别与部分阳极金属、部分P区及部分槽栅组接触，部分所述槽栅组及部分P区分别与部分阳极金属接触。本发明的累积型MOS沟道二极管结构通过P区、N型源区与阳极金属形成欧姆接触，使得具有比肖特基势垒更低的势垒高度，有利于降低其在正向导通时的压降。 | ||
| 搜索关键词： | 累积 mos 沟道 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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