[发明专利]一种超辐射发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202011223544.6 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112259649B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张明洋;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/44 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超辐射发光二极管及其制作方法，该方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长出下光限制层、第一MQW多量子阱层以及上光限制层；通过刻蚀去掉其中一部分第一MQW多量子阱层，然后在该区域对接生长第二MQW多量子阱层；两多量子阱层的能带间隙不同；然后制作出异质结掩埋结构；最后在有源区两侧的异质结掩埋结构中各刻蚀出一道沟槽，并在沟槽内均设置一定厚度的金属层，为有源区引入额外应变。本发明通过采用对接生长的方法，生长两种能带间隙不同的MQW多量子阱作为有源层，可以很好的控制外延生长的质量，通过在有源区两侧的沟槽内设置金属层，为有源区引入额外的应变，进而调整有源区应力分布，达到降低偏振消光比的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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