[发明专利]用于制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011223885.3 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114446791A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 何志;保罗·奥尔甘蒂尼;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·艾尔-萨迪;亚历山德罗·蒙塔格纳;安俊杰 | 申请（专利权）人： | 无锡锡产微芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人： | 李建航 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法，提供：在衬底上形成单或多层外延层；形成穿过外延层的沟槽，其从外延层顶表面沿横向于顶表面竖直方向延伸；用电介质区域和导电屏蔽板元件填充沟槽，屏蔽板元件包括从下面的电介质区域突出的上部分和向内竖直于电介质区域延伸的底部分；氧化屏蔽板元件的上部分以在外延层的顶表面处在沟槽中形成隔离区域，屏蔽板元件的底部分限定分裂栅极结构底部；在沟槽内表面上在相同沟槽上部处，在电介质区域上方形成栅极氧化物区域；横向于分离区域形成分裂栅极结构的顶栅部分，其填充外延层顶表面处的沟槽。该方法提供在形成栅极氧化物区域前始于屏蔽板元件上部分形成牺牲氧化物区域及后续蚀刻牺牲氧化物区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 分裂 栅极 结构 功率 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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