[发明专利]一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法在审
| 申请号： | 202011224091.9 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112216670A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 韩荣刚;石浩;张西子 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/492;H01L21/54;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压功率半导体芯片的封装结构与封装方法，高压功率半导体芯片的封装结构包括基板；位于部分集电极导电层上且与集电极导电层电学连接的高压功率半导体芯片，高压功率半导体芯片的发射极与发射极导电层电学连接；集电极引出端子，位于集电极导电层上且与集电极导电层电学连接；发射极引出端子，位于发射极导电层上且与发射极导电层电学连接；集电极引出端子包括第一段区，发射极引出端子包括与第一段区相对设置的第二段区，第一段区朝向发射极引出端子凹进，和/或，第二段区朝向集电极引出端子凹进；第一绝缘填充层，第一段区与第二段区之间，该封装结构具有较小的寄生电感，因此适用于高压功率半导体芯片封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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