[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202011225599.0 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114447216A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 郭宗夏;殷加亮;曹凯华;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 董骁毅;任默闻 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻式随机存取存储器及其制造方法，一些实施方式涉及包括磁阻式随机存取存储器单元的集成电路及其制造方法，所述集成电路包括：衬底；磁性隧道结，其包括第一端和第二端，所述第一端靠近所述衬底，所述第二端与所述第一端相对设置；导体层，位于所述磁性隧道结的所述第一端和所述衬底之间，可导入电流；以及刻蚀停止层，位于所述磁性隧道结的第二端端面上；其中，形成刻蚀停止层的材料为金属，本发明扩大了磁性隧道结顶部通孔互联的工艺窗口，使得纳米尺度的磁性隧道结与底电极配线层更易于进行后道金属互联相关工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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