[发明专利]一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，在Si和SiO2双层衬底上进行磁控溅射，生长Nb5N6热敏薄膜；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，磁控生长Au薄膜后，剥离出电极；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形，通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb5N6，形成Nb5N6薄膜微桥；在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶，通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口，通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO2，通过反应离子分步刻蚀法，先刻蚀掉窗口的部分Si，再横向刻蚀微桥下方，形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。