[发明专利]一种半导体制冷片性能参数测试方法在审
| 申请号： | 202011226700.4 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112345582A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黄双福;罗祖云;袁俊威 | 申请（专利权）人： | 福州大学至诚学院 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20;G01N25/00;G01N27/04 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 郭东亮;蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体制冷片性能参数测试方法，所用的测试装置包括带第一工质入口、第一工质出口的冷腔，还包括带第二工质入口、第二工质出口的热腔；冷腔和热腔均设有保温层；冷腔和热腔之间的分隔结构处设有制冷片固定部，当半导体制冷片固定于制冷片固定部处时，冷端与冷腔腔壁接触，热端与热腔腔壁接触；当进行测试时，以流经冷腔的第一工质对制冷片冷端进行热交换，以流经热腔的第二工质对制冷片热端进行热交换，根据测得的第一工质入口与第一工质出口的第一工质温差、第二工质入口与第二工质出口的第二工质温差、第一工质流量、第二工质流量对性能参数或当前工况计算；本发明具有结构简单，数据测试方便的优点，具有良好的实际研究意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 性能参数 测试 方法 | ||
【主权项】：
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