[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202011227830.X 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN112951898A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 韩东焕;尹承燦 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768;H01L27/088
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 田野;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,包括在第一方向上延伸的有源区;栅极结构,与有源区交叉并且在第二方向上延伸;源区/漏区,在有源区上位于栅极结构的至少一侧上;接触插塞,在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上;以及接触绝缘层,位于接触插塞的侧壁上,其中,接触插塞的下端比源区/漏区的下端靠近基底。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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