[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202011227830.X | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112951898A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 韩东焕;尹承燦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768;H01L27/088 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,包括在第一方向上延伸的有源区;栅极结构,与有源区交叉并且在第二方向上延伸;源区/漏区,在有源区上位于栅极结构的至少一侧上;接触插塞,在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上;以及接触绝缘层,位于接触插塞的侧壁上,其中,接触插塞的下端比源区/漏区的下端靠近基底。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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