[发明专利]一种新型阻容复合芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202011228795.3 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112397306A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 贺晓辉;蒋雨芯;石磊;朱永丽;赵世纪 | 申请（专利权）人： | 重庆工程职业技术学院 |
| 主分类号： | H01G2/10 | 分类号： | H01G2/10;H01G2/22;H01G13/00;H01G17/00 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 张丽楠 |
| 地址： | 402260 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型阻容复合芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括电阻芯片、电容芯片、两根引线，以及用于包覆电阻芯片和电容芯片的保护层；电阻芯片与电容芯片并联连接，两根引线平行设置，并分别与电阻芯片两面的电极连接，保护层为聚氨酯丙烯酸酯大分子单体经过聚合、交联、固化而成，保护层内分散有碳纳米管，碳纳米管内填充有氧化铁。本发明能够有效防止电压突变，吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。此外，聚氨酯丙烯酸酯大分子单体加工成的保护层透明度好，拉伸强度、冲击强度、硬度等机械性能强，热变形温度高，不易破碎，较玻璃防护层更加安全耐用、较二氧化硅保护层对光的穿透性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 复合 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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