[发明专利]半导体器件制备方法、半导体器件及三维存储器有效
| 申请号： | 202011229009.1 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112331659B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制备方法、半导体器件及三维存储器。其中，半导体器件制备方法包括：提供衬底，衬底具有氮化硅层；在氮化硅层的表面依次成第一多晶硅层、第一绝缘层和第二多晶硅层；形成两个间隔设置的绝缘隔离体及第二绝缘层，两个绝缘隔离体之间为电容区域；形成多个第一导电柱，第一导电柱作为电容正极；形成两个第二导电柱，第二导电柱作为电容负极；去除衬底并使两个第二导电柱露出第一多晶硅层背向第二多晶硅层的表面；在第一多晶硅层背向第二多晶硅层的表面形成顶部金属层，第二导电柱露出的部分与顶部金属层电连接。第一导电柱和第二导电柱结合第二多晶硅层和顶部金属层形成电容器为半导体器件工作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 三维 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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