[发明专利]一种基于MOS管的温度传感器有效
| 申请号： | 202011231226.4 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112345103B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李靖;余先银;尧博文;田明;宁宁;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于MOS管的温度传感器，正温度系数电压产生模块中第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的源极和第二电阻的一端，其源极连接第二电阻的另一端并连接电源电压，其漏极连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极；负温度系数电压产生模块中第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的源极和第一电阻的一端，其源极连接第一电阻的另一端并接地，其漏极连接第一NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极，调节四个MOS管的宽长比，令流经第二NMOS管和第一PMOS管的电流相等，第二NMOS管的漏极输出负温度系数电压，第一PMOS管的漏极输出正温度系数电压；输出模块将正温度系数电压减去负温度系数电压的差值信号作为温度传感器的输出信号，增大了输出信号随温度变化的摆幅，提高了温度传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 温度传感器 | ||
【主权项】：
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