[发明专利]一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法在审
| 申请号： | 202011231979.5 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112452322A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李彦兴;云山;郭探;高晓燕;徐海青;洪坤 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | B01J23/22 | 分类号： | B01J23/22;B01J35/06;B01J37/34;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 马海清 |
| 地址： | 223005 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法，包括如下步骤：S1.清洗基底后干燥；S2.将基底置于沉积室，然后在基底表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜，其中靶材为钒酸铋陶瓷靶，溅射时所述靶材与基底的夹角为60°‑90°，溅射气体为为氩气和氧气，总压强为0.5～2.5 Pa，氧分压为5‑20%，靶材与基底的距离为7～20 cm，初始基底温度为室温。本发明基于磁控溅射钒酸铋的过程靶材与基底之间的角度可调，优化制备工艺，在特殊角度可以制备出疏松结构的钒酸铋薄膜，能够增大与液相的有效接触面积，促进光生电子‑空穴对分离，提高其光电催化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 阳极 bivo4 薄膜 催化剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
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