[发明专利]一种用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置在审
申请号: | 202011232044.9 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112201466A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 詹艺 | 申请(专利权)人: | 亚星智联(厦门)科技有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提出了一种用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,包括进料腔室、溅射扩散工艺腔室、出料腔室以及基座,进料腔室设置有三维工件转架系统,离子源刻蚀系统以及第一加热系统,溅射扩散工艺腔室设置有溅射源系统、高能离子源系统以及第二加热系统,出料腔室设置有第三加热系统。本发明的一种用于晶界扩散渗金属的钕铁硼磁铁改性装置,根据制备高矫顽力钕铁硼复合工艺流程合理配置,进料腔室具有离子刻蚀和预加热功能,溅射扩散工艺腔室具有溅射镀金属膜及金属扩散功能,出料腔室具有回火热处理功能,3个腔室之间通过阀门隔开,各自工作,互不干扰,实现了生产的连续性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 扩散 金属 钕铁硼 磁铁 改性 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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