[发明专利]单晶的制造方法在审

专利信息
申请号: 202011232210.5 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN112779593A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 林田寿男 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: C30B13/28 分类号: C30B13/28;C30B29/06;C30B13/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 童春媛;杨戬
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 即便在刚开始交替旋转之后也稳定地控制晶体直径,从而防止单晶的位错发生。依据本发明的单晶的制造方法包括:锥形部培育工序(S13),使单晶(4)沿一个方向旋转,同时以使单晶(4)的直径扩大的方式一边增加原料棒(2)的下降速度一边进行单晶(4)的生长;以及直筒部培育工序(S14),在锥形部培育工序(S13)之后,使单晶(4)的旋转方向交替旋转,同时以使单晶(4)的直径维持目标直径的方式一边将原料棒(2)的下降速度维持在第1下降速度(Vm1)一边进行单晶(4)的生长。锥形部培育工序(S14)包括:第1步骤(S13a),一边增加原料棒(2)的下降速度一边生长单晶的锥形部(4b);以及第2步骤(S13c),在第1步骤后,使原料棒(2)的下降速度增加到快于第1下降速度(Vm1)的第2下降速度(Vm2)。
搜索关键词: 制造 方法
【主权项】:
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