[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202011233498.8 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN114446869A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供基底，基底包括中心区和位于中心区第一方向边缘的相对两外侧的虚置区，中心区包括成型区以及位于成型区第二方向边缘的相对两外侧的裁剪区；在基底上形成多个间隔设置的芯柱；在基底上形成环绕且覆盖芯柱侧壁的初始掩膜层；去除位于裁剪区的初始掩膜层，以形成位于成型区的若干间隔设置的掩膜侧墙条，且保留位于虚置区的初始掩膜层作为环状侧墙；去除位于中心区以及虚置区的芯柱；以掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，形成多个功能结构，且以环状侧墙为掩膜刻蚀基底，形成位于多个功能结构两侧的伪功能结构。本发明实施例有利于提高伪功能结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
