[发明专利]一种负氧离子手机芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202011235718.0 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112221014A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 蒋思前 | 申请（专利权）人： | 蒋思前 |
| 主分类号： | A61N1/44 | 分类号： | A61N1/44;A61N5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种负氧离子手机芯片的制作方法，该手机芯片依次由上面保护层(2)、第一负氧离子层(3)、第二负氧离子层(4)、银浆谐振电容层(5)、第三负氧离子层(6)、第四负氧离子层(7)、底面保护层(8)构成。本发明的有益效果在于：该手机芯片不用电，长时间释放高浓度负氧离子，可以长时间连续使用，通过内置银浆谐振电容，把杂乱的电磁波变成对人体有益的脉冲波。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 手机芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蒋思前，未经蒋思前许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011235718.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
