[发明专利]一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术在审
| 申请号： | 202011235844.6 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112226738A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 曹丙强;徐帆;张永政;齐文涛;孙海瑞 | 申请（专利权）人： | 曲阜师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 273165 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏器件制作工艺领域，具体为一种无机铯铅卤钙钛矿磁控溅射靶材制备与回收和薄膜生长技术。常规的溶液法制备无机钙钛矿薄膜，由于过快的液相反应不易控制，导致钙钛矿薄膜出现不均匀、多孔洞的现象，进而影响薄膜的质量和性能。本发明设计了一种无机钙钛矿磁控溅射靶材的制备与回收技术，并采用该靶材在衬底上溅射生长薄膜。该技术克服了溶液法生长薄膜多孔洞的缺点，生长出均匀分布、形貌紧凑、低缺陷密度、高相纯度的无机钙钛矿薄膜，其优化的性能和稳定的技术为钙钛矿薄膜的商业化生产应用提供了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 铯铅卤钙钛矿 磁控溅射 制备 回收 薄膜 生长 技术 | ||
【主权项】：
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