[发明专利]一种自动化控制单晶生长过程系统在审
| 申请号： | 202011238955.2 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112359425A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨晶创科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;B08B9/087 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 韩立岩 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自动化控制单晶生长过程系统，其技术方案是：包括石英坩埚，所述石英坩埚内部设有清理机构，所述石英坩埚顶部设有传动机构；所述传动机构包括顶座，所述顶座顶部固定连接有电机，所述顶座内部开设有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔位于第二空腔一侧，一种自动化控制单晶生长过程系统有益效果是：通过设置清理机构，使得电机工作时，带动第一清理块和第二清理块同时转动并进行上下往复运动，且在气缸作用下，第二清理块始终与石英坩埚内壁紧密接触，以解决现有技术中单晶生长坩埚中容易有晶体杂质残留，长期不清理积累容易对石英坩埚内部温度控制造成不利影响，进而对单晶生长质量造成不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动化 控制 生长 过程 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨晶创科技有限公司，未经哈尔滨晶创科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011238955.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种NAND Flash存储架构及存储方法
- 下一篇：液体计量装置
