[发明专利]一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头在审
| 申请号： | 202011239284.1 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112378994A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 胡明慧;张显程;张程杰;徐小雄;严宇昂;轩福贞;涂善东 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/904 | 分类号： | G01N27/904;G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人： | 蔡海淳 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头，属检测领域。包括矩形双层印刷TMR电路板、TMR磁阻传感器组、TMR阵列检测元件、第一、第二线圈骨架、第一、第二矩形激励线圈、探头主外壳和探头副外壳；TMR阵列检测元件安装在第一矩形激励线圈和第二矩形激励线圈的几何中心位置；电磁检测探头的扫描方向垂直于TMR阵列检测元件的排布方向。其选用TMR磁阻传感器组来代替常规线圈探头，突破了常规涡流线圈探头无法检测深层缺陷的瓶颈，不仅可以检测非铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷，亦可检测铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷，大大提高了检测深度与灵敏度，结构简单，操作方便，性能稳定，测量精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tmr 磁阻 传感器 阵列 金属构件 深层 缺陷 电磁 检测 探头 | ||
【主权项】：
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