[发明专利]一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法

摘要

本发明提供了一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法；包括：p‑Si基底层、表面助催化层和TiO2层；所述p‑Si基底层作为光电阴极；所述表面助催化层为MoS2和Rh‑P的双组分复合型助催化层；所述TiO2层作为调节p‑Si基底层和表面助催化层之间界面失配的连接层。本发明在p‑Si基底层上逐步沉积制备得到MoS2‑Rh‑P复合型助催化剂，MoS2和Rh‑P分别都在析氢助催化方面表现出优异的性能，而当复合之后他俩之间的协同作用更加能够加快析氢助催化反应速率，从而可显著提高复合体系的光电化学性能，所以本发明提供的复合型光电化学器件具有实际应用的潜力；本发明提供的复合器件在0V偏压下能够有效的完全解水析氢，是一种具有应用前景的光电阴极器件。