[发明专利]单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器及制备方法在审
| 申请号： | 202011242900.9 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112366514A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张一;牛智川;张宇;徐应强;杨成奥;谢圣文;邵福会;尚金铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/12;H01S5/343;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器，该激光器的量子阱级联区将具有不同发光波长量子阱级联串联，使该有源区的发光波长的增益谱线可以覆盖较大的波长范围，通过分布反馈式采样光栅对不同发光波长的光进行调谐，并利用光束耦合区的S形弯曲波导进行片上光耦合，最终通过一个平板波导实现单横模的激光输出。该激光器可实现整个单片集成激光器的中红外宽调谐输出，其输出模式为单横模单纵模激光输出，可调谐范围可覆盖中红外波长2‑4μm以上，具有体积小、重量轻、可调谐范围大且覆盖中红外波段的优势。本公开还提供开该激光器的制备方法，制备方法简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 级联 量子 调谐 红外 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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