[发明专利]一种晶圆剥离方法和晶圆剥离装置有效
| 申请号： | 202011242999.2 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112404747B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王宏建;赵卫;何自坚;杨涛;王自 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室;中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 余菲 |
| 地址： | 523830 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种晶圆剥离方法和晶圆剥离装置，属于半导体材料加工技术领域。晶圆剥离方法包括：将晶锭内部的加工面划分成多个区域，使用激光束依次对多个区域进行加工形成改质层，当改质层贯穿于晶锭内部，剥离得到晶圆。激光束在对每一个区域进行加工时，采用冷却流体环绕喷射晶锭的表面以冷却正在加工区域的边缘和/或边缘的外侧。采用冷却流体环绕喷射晶锭的表面并作用于正在加工区域的边缘形成环形流场，使得激光束在形成每个区域的改质层时，激光束作用晶锭内部的能量更加集中于改质层形成区域，以减少能量对未加工区域的影响。实现更加精准的改质层的加工，有利于晶锭内部诱导应力层的产生，从而提高晶圆的剥离质量，以获得高质量的晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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