[发明专利]一种增强锑基超晶格材料光致发光信号的方法

摘要

本发明公开一种增强锑基超晶格材料光致发光信号的方法，包括：将GaSb衬底进行预处理，以去除水汽和有机物；将GaSb衬底升温，高温去除GaSb衬底的氧化层；将GaSb衬底降温，在GaSb衬底生长GaSb缓冲层；对GaSb缓冲层升温再进行退火处理；对GaSb缓冲层降温，通过控制生长温度、生长速率、束流比以及生长界面在GaSb缓冲层上生长Sb基超晶格材料；在Sb基超晶格材料表面生长的GaSb层，降温取出Sb基超晶格材料。本发明通过对Sb基超晶格材料进行光致发光测试，光致发光信号极大增强，发光峰峰位清晰，半峰宽较小，可以准确测试超晶格材料带隙，使得Sb基超晶格材料能够广泛应用于红外光电器件，提升红外光电器件的检测精度。