[发明专利]一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法在审
| 申请号： | 202011245394.9 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112509914A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 费晨曦;柏松;王谦;张宏伟;李强;黄润华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆烨 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，该方法包括：使用干法刻蚀方法对碳化硅进行栅沟槽刻蚀；在惰性气体氛围下，对刻蚀后的碳化硅栅沟槽进行第一次高温钝化处理，以消除刻蚀过程中在碳化硅栅沟槽底角所产生的微沟槽；在单一或者混合气体氛围下，对的碳化硅栅沟槽进行第二次高温钝化处理，以降低栅沟槽的表面粗糙度。本发明通过两次高温钝化处理使得碳化硅栅沟槽底部圆滑且无微沟槽、沟槽表面粗糙度低，得到高质量的碳化硅栅沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 碳化硅 沟槽 质量 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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