[发明专利]一种高集成度SRAM有效
| 申请号： | 202011246004.X | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112366204B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;冯轲;李平;李垚森;聂瑞宏;唐瑞枫;林凡 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本专利提出一种高集成度纳米墙结构SRAM及实现方法，相比传统在FINFET和GAA中的MOSFET而言，本专利中的MOSFET的栅极不必全包围沟道区，因此，集成密度大大提高；通过NMOS管占用1面侧墙，PMOS管占用3面侧墙来实现P管的宽长比为N管的宽长比的3倍，极大的减小了芯片面积；在同一面纳米墙上可以制做大量MOSFET，MOSFET间由绝缘体隔离，形成类似门海结构；由上述MOSFET构成六管单元SRAM，可大大提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成度 sram | ||
【主权项】：
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