[发明专利]一种自限制湿法刻蚀制备高精度银电极的方法有效
| 申请号： | 202011246215.3 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112366039B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 吕迅;刘胜芳;刘晓佳;王志超 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种自限制湿法刻蚀制备高精度银电极的方法，首先使用双氧水溶液或稀释APM溶液等氧化溶剂，氧化表面银，表面银全部氧化后，氧化反应不再进行；再使用稀硝酸刻蚀表面氧化银，稀硝酸与银反应很慢，表面氧化银刻蚀结束后，刻蚀反应终止。自限制刻蚀工艺待刻蚀物刻蚀结束就会终止，不会因为过刻导致CD loss过大。自限制Ag刻蚀CD loss和Ag膜厚相关，约等于Ag膜厚。草酸是金属氧化物专用刻蚀液，与Ag不反应，所以刻蚀上层和下层ITO时不会导致Ag CD loss。通过上述方法，能够减少Ag电极刻蚀CD loss，由一步湿刻的1μm减小到0.1μm左右，满足超高分辨率显示需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 限制 湿法 刻蚀 制备 高精度 电极 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽熙泰智能科技有限公司，未经安徽熙泰智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011246215.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
