[发明专利]立式热处理设备有效
| 申请号： | 202011247176.9 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112490147B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杨帅;杨慧萍 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种立式热处理设备。该立式热处理设备用于对待加工工件进行热处理工艺，包括：机箱、工艺腔室、加热腔室及检测组件，检测组件包括发射传感器，发射传感器设置于加热腔室的顶部，机箱内部的底面上相对发射传感器设置有第一反射部；工艺腔室的顶部具有透光部及第一遮光部，透光部位于发射传感器发射的光束的路径上，第一遮光部环绕透光部设置；通过判断发射传感器是否能接收到第一反射部反射的光束，用以检测工艺腔室是否与加热腔室同心设置。本申请实施例实现了对工艺腔室及加热腔室的同心度检测，并且避免现有技术中由于间接调整造成的累积误差，从而大幅提高了工艺腔室与加热腔室同心度的精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 立式 热处理 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
