[发明专利]封装件及其形成方法在审
申请号: | 202011247925.8 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN112509931A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 余振华;叶松峯;陈明发;陈宪伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/498 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请的实施例提供了一种形成封装件的方法,包括:形成多个介电层;在多个介电层中形成多个再分布线;在多个介电层中形成堆叠通孔,其中,堆叠通孔形成贯穿多个介电层的连续的电连接件;在堆叠通孔和多个介电层上方形成介电层;在介电层中形成多个接合焊盘;以及通过混合接合将器件管芯接合至介电层和多个接合焊盘的第一部分。本申请的实施例还提供了另一种形成封装件的方法以及一种封装件。 | ||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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