[发明专利]一种三态与非门电路及芯片在审
| 申请号： | 202011249809.X | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112311386A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 南海卿 | 申请（专利权）人： | 成都海光集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新区天府大道*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种三态与非门电路及芯片，涉及半导体技术领域，包括：多个碳纳米管，其栅极为信号输入端；第一与第二碳纳米管的漏极连接，第二纳米管的源极接电源地，第三与第四碳纳米管并联，其源极分别接第一供电电源，漏极分别与第一碳纳米管源极连接为信号输出端；第七与第八碳纳米管并联，其源极分别接第二供电电源；第七及第八碳纳米管漏极分别与第五碳纳米管源极连接，第五碳纳米管栅极与第六碳纳米管源极连接，第六碳纳米管栅极与第三碳纳米管及第四碳纳米管漏极连接；第一与第二、第三与第四、第五与第六、第七与第八的阈值电压相同。便于降低芯片上功能电路拓扑的复杂程度，在一定程度可提高芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三态 与非门 电路 芯片 | ||
【主权项】：
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