[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202011251097.5 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112071751B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 阳清;崔助凤;金起凖 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，至少包括步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一半导体有源区；形成一多晶硅层于所述半导体衬底上，所述多晶硅层上定义有栅极图形；形成图案化的光阻层于所述多晶硅层上，所述图案化的光阻层覆盖所述第一半导体有源区与所述栅极图形重叠的区域；以所述图案化的光阻层为掩膜，对所述多晶硅层注入离子；去除所述图案化的光阻层，对所述多晶硅层进行退火；蚀刻所述多晶硅层，以形成栅极。通过本发明提供的一种半导体器件的制造方法，可提高所述半导体器件的栅极性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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