[发明专利]FDSOI的制造方法在审
| 申请号： | 202011251767.3 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112382605A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李中华;陈宇峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FDSOI的制造方法，包括如下步骤：步骤一，提供一FDSOI衬底结构，所述FDSOI衬底结构包含硬掩膜层、绝缘体上硅、埋层氧化层和硅衬底；所述埋层氧化层形成于硅衬底表面，所述绝缘体上硅形成于所述埋层氧化层表面，所述硬掩膜层形成于所述绝缘体上硅表面；步骤二，涂布光刻胶并显影，界定出混合区域；步骤三，刻蚀去除混合区域的硬掩膜层、绝缘体上硅，并横向去除绝缘体上硅形成沟槽；步骤四，刻蚀去除混合区域的埋层氧化层；步骤五，去除光刻胶及刻蚀残余物；步骤六，在所述混合区域外延生长硅。本发明实现FDSOI工艺中无鼓包且平坦化的硅外延层，从而降低工艺缺陷，扩大FDSOI工艺窗口，提高器件性能及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | fdsoi 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
