[发明专利]一种WCrSiN超硬涂层及其制备方法有效
申请号: | 202011252080.1 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112391591B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 杨俊峰;杨红艳;杨瑞芳;张临超;谢卓明;王坤;刘瑞;王先平;吴学邦;方前锋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院;中国核动力研究设计院 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/32;C23C14/34;C23C14/02 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 干桂花 |
地址: | 230000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种WCrSiN超硬涂层及其制备方法,涉及表面涂层技术领域,包括依次沉积在基体表面的WCrSi打底层和WCrSiN主体层。本发明提出了一种WCrSiN超硬涂层,该四元纳米复合超硬薄膜涂层中,(W,Cr)2N、(W,Cr)N、SiNx三相复合,基于固溶强化、多相强化以及纳米复合结构的组合,实现不同尺度的协同强化作用,从而最大程度上提高了薄膜的硬度,其硬度可达45GPa以上。此外,在溅射WCrSiN主体层前先在基体表面溅射一层WCrSi打底层,能够提高薄膜涂层与基体之间的结合力,改善膜裂等缺陷。本发明制备方法操作简单、沉积速率快、易于批量生产,有很好的推广价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 wcrsin 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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