[发明专利]用于封闭气隙结构中的接缝的双电介质层在审
| 申请号： | 202011254385.6 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112951762A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 文森·J·麦加赫;克雷格·R·格鲁塞基;安珠缙;蒂姆·H·李;托德·J·范克莱克 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于封闭气隙结构中的接缝的双电介质层。一种结构包括气隙结构，该气隙结构包括：位于相邻导体之间的第一电介质层中的开口，以及位于开口上方的非保形电介质层。在一些情况下，非保形电介质层使气隙的开口的端部变窄，但是可以不密封开口。在其它情况下，非保形层可以密封开口的端部并且在其中包括接缝。该气隙结构还可以包括位于非保形电介质层上的保形电介质层。保形电介质层密封开口的端部，或者在接缝存在的情况下密封接缝。该结构还可以包括位于气隙结构上方的布线层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 闭气 结构 中的 接缝 电介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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