[发明专利]一种高质量碳化硅单晶的制备方法及碳化硅单晶有效
| 申请号： | 202011255128.4 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112481699B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杨晓俐;许晓林;王宗玉 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘晓佳 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种高品质碳化硅单晶的制备方法，所述方法包括：向坩埚中提供长晶原料，并加热所述长晶原料以制得碳化硅单晶；所述长晶原料包括由坩埚底部向上依次铺设的第一碳化硅粉料层、碳粉层和第二碳化硅粉料层。本申请提供的高品质的碳化硅单晶的制备方法，通过在碳化硅长晶原料中的特定位置加入一定厚度的碳粉层，使得从坩埚底部升华的富硅气氛在经过碳粉层时充分与碳粉层中的碳颗粒反应，进而有效减轻对石墨坩埚的侵蚀，延长石墨坩埚的使用寿命，减少晶体中多型、微管缺陷的产生，并且还能够避免碳颗粒随气流上升，显著减少晶体中的碳包裹体，获得高质量的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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