[发明专利]光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法在审
| 申请号： | 202011257944.9 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114496736A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 夏军;白世杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张海明;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的良品率低的技术问题。该光刻胶的处理方法包括：对光刻胶显影，在掩模材料层上形成图形化的光刻胶层，以及形成于光刻胶层的表面上的副产物；对光刻胶层进行等离子体处理，使光刻胶层硬化；通过等离子体处理使光刻胶层硬化，光刻胶层的抗变形能力增强，当以光刻胶层为掩膜对掩模材料层干法刻蚀时，光刻胶层不易发生变形，刻蚀准确性高，从而提高了半导体结构的良品率。此外，等离子体处理还可以去除至少部分副产物，使得光刻胶层内的气体排出，降低光刻胶层的应力，进一步增强光刻胶层的抗变形能力，提高了半导体结构的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 处理 方法 对准 图案 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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