[发明专利]用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备及方法有效
| 申请号： | 202011258275.7 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112103222B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 宋维聪;周云;严俊;崔世甲 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/768;C23C14/22;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备及方法，用于填充深宽比大于5的深孔。设备包括腔体、基座、支撑轴、兆声波换能器、兆声波传递层及兆声波隔绝密封环；基座、兆声波换能器及兆声波传递层均位于腔体内；基座、兆声波换能器及兆声波传递层的中心点位于同一垂线上；兆声波换能器位于基座内，兆声波传递层贴置于兆声波换能器的上表面，晶圆位于兆声波传递层的上方；支撑轴与基座相连接，且自腔体内部延伸到腔体外部；兆声波隔绝密封环位于腔体与支撑轴之间，以在实现腔体密封的同时避免兆声波传递到腔体上。本发明有助于提高深孔填充的均匀性和效率，避免对晶圆表面造成损伤，有助于提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 填充 高深 声波 辅助 薄膜 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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