[发明专利]原位非晶态钴模板法合成氮掺杂单峰超微孔碳纳米片、方法及应用在审
| 申请号： | 202011259848.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112357906A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 杨正龙 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15;B01J20/20;B01J20/28;B01J20/02;B01D53/02;C10L3/10;B22F9/30;B22F1/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 许耀 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种原位非晶态钴模板法合成氮掺杂单峰超微孔碳纳米片、方法及应用，以P4VP和CoCl |
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| 搜索关键词： | 原位 晶态 模板 合成 掺杂 单峰 微孔 纳米 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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