[发明专利]DDR SDRAM信号校准装置与方法在审

专利信息
申请号: 202011261107.3 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112802516A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 余俊锜;蔡福钦;张志伟;周格至 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G11C11/4063
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳;郑特强
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种信号校准装置及方法,能够因应电压及/或温度的变化。该校准装置包含:一致能信号设定电路,用来产生数据选通(Data Strobe,DQS)致能设定;一信号垫,用来输出一数据选通信号;一信号闸控电路,耦接该致能信号设定电路与该信号垫,用来依据该数据选通致能设定产生一数据选通致能设定信号以及一数据选通致能信号,再依据该数据选通致能信号与该数据选通信号输出一闸控数据选通信号;以及一校准电路,耦接该致能信号设定电路,用来依据该数据选通致能信号与该数据选通信号的至少其中之一及该数据选通致能设定信号输出一校正信号,以供该致能信号设定电路依据该校正信号维持或调整该数据选通致能设定。
搜索关键词: ddr sdram 信号 校准 装置 方法
【主权项】:
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