[发明专利]一种掩模只读存储器在审
| 申请号： | 202011261858.5 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112185965A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;G11C17/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜只读存储器，包括：栅极区，包括若干串联晶体管构成的栅极，用于存储信息并在栅极电压的控制下控制所述掩膜只读存储器的信息读出，各晶体管共用源极和漏极；漏极区，用于形成所述掩膜只读存储器的漏极；源极区，用于形成所述掩膜只读存储器的源极，节省版图面积的目的，通过本发明，可以节省芯片的占用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 只读存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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