[发明专利]一种850nm波段高响应度探测器

摘要

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段高响应度探测器，其不同之处在于：其包括位于探测器最底端的n型衬底，所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层和增透膜层，还包括n型电极层和p型电极层，所述n型电极层位于所述n型接触层上且位于所述n型DBR层的一侧，所述p型电极层位于p型接触层上且位于所述增透膜层的一侧。本发明提高响应速率，有助于抗辐照低暗电流高响应度探测器的实现。