[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202011263762.2 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112992856A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄心岩;李劭宽;李承晋;罗廷亚;邓志霖;陈海清;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构。其包括第一层间介电结构、导电接点、导电线路、导电盖层、第二层间介电结构、一对气隙及介电盖层。第一层间介电结构位于基板上，导电接点直接位于基板之上与第一层间介电结构之中，导电线路直接位于导电接点上，导电盖层位于导电线路上，使该导电盖层沿着导电线路的上表面连续延伸。第二层间介电结构位于导电盖层上。第二层间介电结构沿着导电线路的两侧，一对气隙位于第二层间介电结构中。导电线路在一对气隙之间横向分开。介电盖层沿着导电盖层的上表面。介电盖层在一对气隙之间横向分开，并横向偏离第一层间介电结构的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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